WAT测试（晶圆允收测试，Wafer Acceptance Test）
定义与位置
WAT测试是晶圆制造（前道工序，Fab）完成后，对整片晶圆进行的电性参数测试，属于晶圆厂（Fab）的“工艺监控”环节。通常在晶圆完成所有光刻、刻蚀、沉积等工艺后（如12英寸晶圆从投片到出片约需60-90天），进入封装前执行。

核心目的
监控工艺稳定性：通过测试晶圆上特定结构（如测试键，Test Key）的电性参数（如电阻、电容、击穿电压等），验证光刻、掺杂、金属化等工艺是否符合设计要求。
筛选异常晶圆：若某片晶圆的WAT测试结果偏离工艺窗口（如线宽过窄导致电阻异常升高），则判定为不合格，需排查工艺问题（如光刻机对位偏差）。
为CP测试提供参考：WAT结果可预判晶圆整体良率，指导后续CP测试的抽样策略或测试程序调整。
测试内容
主要针对晶圆上的测试结构（非实际芯片Die），常见参数包括：

金属互连层的线电阻（Sheet Resistance）、接触孔电阻（Contact Resistance）；
晶体管的阈值电压（Vt）、饱和电流（Idsat）、漏电流（Ioff）；
氧化层的击穿电压（BV）、电容（Cox）等。