​​【公司简介】​​

我们是一家专注于先进半导体封装技术的创新型企业，聚焦AI、高性能计算（HPC）、数据中心等前沿领域，核心布局​​FOPLP（扇出型面板级封装）​​与​​CoPoS（Chip on Panel Substrate）​​技术研发，已突破2μm线宽线距（2μm L/S）先进封装工艺。当前，为解决高算力芯片高带宽、低功耗、高可靠性需求，公司正加速推进​​先进金属化工艺​​研发（涵盖微凸点、TSV/混合键合、厚铜互连等），亟需金属化领域技术专家加入，共同定义下一代封装的核心连接技术！

【岗位职责】​​

​​1、金属化工艺开发​​：负责FOPLP/CoPoS等先进封装中金属化工艺（如微凸点（Micro-Bump）、硅通孔（TSV）、混合键合（Hybrid Bonding）、厚铜互连等）的设计与优化，突破高深宽比填充、低应力沉积、高可靠性键合等技术瓶颈。

2、材料与设备协同​​：协同材料团队开发适配先进封装的金属化材料（如铜柱电镀液、UBM阻挡层、键合界面材料），优化电镀、溅射、退火等设备参数，提升工艺一致性与良率。

3、可靠性与失效分析​​：主导金属化结构的可靠性验证（如热循环、机械冲击、电迁移（EM）/电迁移空洞（TDDB）测试），利用TEM、EBSD、3D-SEM等工具分析失效机理（如界面开裂、金属间化合物（IMC）过度生长），推动工艺迭代。

4、跨部门技术对接​​：与封装设计（DFM）、工艺整合（PIE）、测试（QA）团队协作，确保金属化工艺与封装整体方案匹配；支持客户样品导入，解决量产中的金属化相关问题（如散热不均、信号损耗）。

5、技术前瞻布局​​：跟踪行业趋势（如2.5D/3D封装、异构集成），研究新型金属化技术（如纳米铜键合、自组装分子层（SAM）界面改性），为公司技术路线图提供决策支持。

【任职要求】​​

1、教育背景​​：材料科学与工程、电子科学与技术、应用化学、物理等相关专业硕士及以上学历，博士优先；有微纳制造、电化学、表面物理等交叉背景者优先。

2、经验要求​​：3年以上半导体封装金属化工艺研发经验，有​​先进封装（FOPLP、CoWoS、EMC、HDI）​​或​​高可靠性互连（如汽车电子、AI芯片）​​领域经验者优先；熟悉2μm及以下线宽线距下金属化工艺（如微凸点间距≤20μm）者优先。

3、技术能力​​：

（1）深入理解金属化核心工艺（电镀、溅射、键合、退火）的物理/化学机制，掌握微纳尺度下金属生长（如铜柱填充、阻挡层沉积）与界面反应规律；

（2）熟悉先进封装制程（如TSV刻蚀、晶圆减薄、塑封料（EMC）特性），能分析金属化与封装其他工序（如塑封、表面处理）的兼容性问题；

（3）精通可靠性测试标准（如JEDEC JESD22、AEC-Q100）与失效分析方法（如FIB-TEM、XPS深度剖析），能主导DOE实验设计优化工艺窗口；

（4）了解行业技术动态（如混合键合替代传统凸点的趋势、低介电常数（low-k）介质对金属化的挑战），具备技术创新与专利布局能力。

4、综合素养​​：优秀的跨部门沟通与项目管理能力；良好的英语读写能力（需阅读国际期刊/专利）；具备技术论文发表或专利撰写经验者优先。

​【我们提供】​​

1、行业竞争力的薪酬​​：如果您是我们寻找的高手，薪资将不是您需要担心的问题。我们乐于与您共同探讨一个能匹配您价值的方案，包含绩效奖金、项目跟投权及核心技术岗位津贴。

2、顶尖研发资源​​：配备先进的金属化工艺实验室（如电镀线、溅射台、键合机、3D-SEM/FIB设备）、可靠性测试平台（热循环/机械冲击试验箱）。

3、职业成长空间​​：参与前沿技术攻关（如2.5D CoWoS金属化、FOPLP大尺寸面板键合），直接向研发副总汇报，快速成长为领域专家。

4、完善福利体系​​：六险一金、弹性工作制、年度健康体检、高端技术培训（如国际封装会议、设备厂商认证）、员工股权激励计划。

5、产业资源支持​​：与全球头部晶圆厂（如台积电、三星）、封装厂（如日月光、长电科技）及材料巨头（如安森美、京瓷）深度合作，提供技术交流与国际项目机会。

我们期待与您共同攻克先进封装“连接”难题，为AI/HPC芯片提供更可靠的“神经脉络”！