核心职责：

• 负责 氮化铝薄膜的沉积工艺开发与优化，重点提升薄膜的 结晶质量、C轴取向、应力控制和均匀性。

• 操作和维护 磁控溅射（反应溅射）或MOCVD设备。

• 制定工艺规范，分析薄膜性能（XRD、SEM、AFM等表征数据），解决膜层附着力、均匀性等工艺问题。

• 与设备工程师协作，进行设备参数调校与维护。

任职要求：

• 本科及以上，材料、物理、真空技术相关专业。

• 必须经验： 2年以上 氮化铝、氮化镓、氧化锌等压电/半导体薄膜 的溅射或CVD沉积经验。熟悉 K-S靶材 及反应溅射工艺者 极度优先。

• 精通薄膜表征方法与数据分析。