核心职责：

• 负责氮化铝薄膜的 光刻工艺（涂胶、曝光、显影）及 刻蚀工艺（干法/湿法刻蚀）开发与优化。

• 制作用于声表面波滤波器、微型加热器等器件的 微米/纳米级图形。

• 解决图形转移过程中的关键问题，如 侧壁陡直度、线宽控制、套刻精度。

• 维护光刻机、刻蚀机等关键设备的工艺稳定性。

任职要求：

• 本科及以上，微电子、电子工程、材料、物理相关专业。

• 2年以上半导体或MEMS行业 光刻或刻蚀工艺 经验。熟悉步进式光刻机、ICP/RIE刻蚀机操作者优先。

• 熟悉光刻胶选型、显影液配方、刻蚀气体化学。

• 具备DOE实验设计和SPC过程控制能力。