岗位职责:
1.根据国际前沿技术和市场热点，负责SiC SJ/Trench研发方向制定；
2.根据公司产品路谱和发展需求，负责SiC SJ/Trench产品开发；
3.负责SiC SJ/Trench产品IP建设，结构、版图设计，负责参数仿真和可靠性设计；
4.负责SiC SJ/Trench Mos 工艺流程设计，配合Fab拉通工艺；
5.负责内外部研发项目申报，执行，结项工作。
任职要求:
1.学历、专业：硕士及以上学历，电子、通信、微电子、物理等专业背景；
2.工作经验：硕士6年以上，本科10年以上相关经验，对SJ/Trench国际前沿技术有深入的了解和研究，具有创造性思维；
3.专业知识及技能：掌握功率器件IGBT、MOS、Diode等器件结构原理，并有较深理解，掌握TCAD和版图相关工具，高压器件经验最优；
4.通用能力及素质：良好的沟通协调能力和书面表达能力，良好文献检索能力，较强的分析和解决问题能力；
5.语言要求：良好的英语读、写能力，CET6及以上。