工作职责：
1. 主导GaN HEMT功率芯片的结构设计与工艺流程规划，输出可落地的技术方案与设计规范。
2. 负责芯片研发过程中的异常问题分析、反向技术研究，同步跟进前沿GaN器件技术的预研与应用。
3. 制定芯片技术路线图，推动设计平台的技术建设与迭代，提升研发效率与设计标准化水平。
4. 对接晶圆制造工艺团队，明确工艺平台能力边界，输出精准设计要求并推动方案执行落地。
任职要求：
1. 本科及以上学历，微电子、材料科学与工程、电子科学与技术等理工科相关专业。
2. 拥有3年以上GaN HEMT功率芯片研发经验，曾主导或核心参与至少1款产品的全流程开发并实现批量生产。
3. 对GaN HEMT器件的制备工艺流程、物理原理及可靠性机制有深入理解，能独立解决研发中的关键技术问题。
4. 熟练使用Sentaurus或Sivaco仿真软件进行GaN器件的电学/热学仿真，具备较强的数据分析与方案优化能力。
5. 熟悉GaN HEMT器件的可靠性测试标准与评价体系，能主导可靠性验证方案的设计与执行。
6. 具备良好的跨部门沟通协调能力与问题分析能力，能高效推动研发与工艺环节的协同落地。