职位详情
光刻工艺研发工程师
2.1-3.5万·15薪
北京超弦存储器研究院
北京
3-5年
硕士
04-24
工作地址

京东贝科技园(西南门)

职位描述
岗位职责:
1、负责新型存储器研发所需的先进光刻工艺研发;
2、依据研发需求,制定光刻工艺的研发计划,建立并优化工艺条件,保障整体研发进度;
3、依据工艺整合的需求,制定相关工艺规格,对工艺中存在的课题进行攻关,拓展工艺窗口,提升产品良率及性能;
4、对存储器先进工艺前期预研,确定光刻技术路线。探索前沿光刻领域技术进展,研究多种光刻工艺方案,持续推进存储器产线光刻工艺的进步;
5、引入和评估验证新材料、新机台、新功能,并降低工艺成本;
6、分析数据并总结和汇报研发进展,撰写相关论文和申请专利。
任职要求:
1.物理/光学/化工/微电子/材料等理工类相关专业硕士及以上学历;
2.两年以上逻辑或存储半导体行业工作经验,有研发工作经历优先;
3.熟悉半导体工艺流程与光刻工艺。熟悉光刻工艺中的工艺窗口优化,光学临近效应修正,线宽和套刻的控制与改进,光阻的评估与验证;
4.较强的沟通表达能力、组织协调能力和团队合作精神。流畅的英文阅读和写作能力;
5.有期刊论文及专利申请经验者优先。
6. 该岗位需要长期在安徽合肥出差,一年中有半年以上的时间会在合肥,其他时间在北京。五险一金缴纳在北京。在合肥出差期间食宿公司承担。

以担保或任何理由索取财物,扣押证照,均涉嫌违法,请提高警惕

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