1.核心工艺开发与优化：负责铌酸锂薄膜（LNOI）光芯片的微纳加工核心工艺模块的开发、优化与固化，重点包括：电子束曝光的高分辨率光刻工艺；电感耦合等离子体干法刻蚀工艺；电子束蒸发等技术的金属电极制备与剥离工艺。

2.工艺流程整合：参与设计并执行从衬底到芯片的全流程工艺整合，确保各工艺步骤间的有效衔接与良率提升。

3.设备操作与维护：独立操作并日常维护关键微纳加工设备（如电子束曝光机、ICP刻蚀机、电子束蒸发台等），保证设备稳定运行。

4.芯片表征与数据分析：熟练使用SEM、AFM、台阶仪等表征设备对工艺结果进行检测与分析，依据数据驱动工艺迭代和改进。

5.文档与标准化：撰写详细的工艺操作规范（SOP）、实验报告和技术文档，建立和完善工艺知识库。

6.跨部门协作：与设计、测试、封装等团队紧密合作，共同解决技术难题，推动芯片性能目标的实现。

任职要求：

1.学历与经验：
硕士及以上学历，微电子学、光学工程、物理电子学、材料科学与工程等相关专业。
应届毕业生：要求在校期间具有微纳加工工艺实践或科研经历，博士研究生优先。以铌酸锂、磷化铟或硅光为主要研究方向的候选人将获得重点考虑。
社会招聘：要求2年及以上光芯片（如铌酸锂、硅光、III-V族）微纳工艺研发或量产经验。

2.专业知识与技能：
必备经验：深刻理解微纳加工基本原理，具备电子束曝光和干法刻蚀中至少一项的扎实实践经验。
关键技能：具备以下一项或多项设备的实际操作经验者优先：
光刻：电子束曝光、紫外光刻、深紫外光刻。
刻蚀：电感耦合等离子体刻蚀机。
薄膜沉积：电子束蒸发、磁控溅射等。
表征设备：扫描电子显微镜、原子力显微镜、台阶仪等。
材料专长：拥有铌酸锂薄膜材料加工经验者极具竞争力。熟悉其刻蚀特性、损伤阈值及退火活化等后处理工艺者更佳。
数据分析：能够熟练使用专业软件（如Origin, MATLAB, Python等）进行数据处理和分析，具备通过数据分析解决工艺问题的能力。