负责半导体器件的设计、开发与优化，深入理解半导体器件物理原理（如MOSFET、BJT等），主导器件特性分析与性能提升。

熟悉BCD工艺或高压（High Voltage, HV）器件结构（如LDMOS、IGBT等），主导相关器件设计与工艺集成方案制定。

运用TCAD仿真工具（如Sentaurus、Silvaco等）进行器件电学特性仿真、结构优化及可靠性预测，并指导工艺流片。

与可靠性测试部门紧密协作，制定器件可靠性评估方案（如HTOL、ESD、HCI等），分析测试数据并提出改进措施。

为产品团队提供器件级技术支持，解决量产中的异常问题，优化良率与稳定性。

优先方向：有SRAM单元设计开发经验，或ESD防护器件（如GGNMOS、SCR等）设计经验者优先。

编写技术文档（设计报告、仿真报告、测试规范等），跟踪行业技术动态并推动技术创新。

学历：微电子学、电子工程、物理学等相关专业本科及以上学历。

经验：

• 2年以上半导体器件设计或工艺开发经验，熟悉半导体制造工艺流程；

• 精通半导体器件物理与TCAD仿真工具，具备实际流片项目经验；

• 熟悉高压器件或BCD工艺者优先，有SRAM/ESD开发经验者优先。

技能：

• 扎实的半导体器件理论基础，熟悉器件电学特性与可靠性失效机制；

• 熟练使用器件仿真软件（Sentaurus、Silvaco等）及数据分析工具（Python、MATLAB等）；

• 具备版图设计基础（如L-Edit、Cadence Virtuoso），能与工艺团队高效对接；

• 熟悉器件可靠性测试标准（JEDEC、AEC-Q100等）与测试数据分析方法。

素质：具备良好的逻辑分析能力、团队协作精神及跨部门沟通能力，英语读写能力优秀（需阅读技术文献）。