岗位职责:

1.从事 DRAM工艺制程研发工作。主要以实现关键技术节点器件电学性能为目的，对各种先进单点工艺制程进行极高要求的整合, 使之成为支撑各种DRAM产品的工艺技术平台。其中大部分的工作内容涉array架构设计以及integration实现方案, 电学表征部门以及具体的制程研发工程师共同进行技术创新, 以达成高水平的电学性能和可靠性能的pathfinding技术；

2.能独立建立至少一个loop的process，实现MTS on target，把控 process development整体timeline，并注重handle lot的细节，早期预防任何contamination 案件的发生，精确并及时分析experiment lot的inline以及电性数据；

3.具备对新型DRAM做系统性调研的能力，其中包括新型阵列存储架构，器件结构，晶体管/电容器材料，以及关键工艺和工艺集成的信息调研；

4.新架构mask tapeout，对TEG设计，外围电路设计，工艺及器件仿真有一定程度的了解，能够与相关领域的专家对接并开展工作，了解Design rule，并具有独立tapeout mask的能力。

任职要求:

1.硕士及以上学历,微电子、集成电路、化学、物理、材料等相关专业；

2.有扎实的半导体器件物理，以及device， process等基础知识；

3.至少5年PIE经验，熟悉DRAM制程和3D NAND制程者优先；

4.理解复杂的问题，推导、解释为解决这些问题而采取的行动，并推动团队执行；

5.具备良好的沟通，表达和学习能力。