岗位职责:
1. 熟悉目前主流的高深宽比刻蚀机台；
2. 开发和改进高深宽比CAP EH(AR:45-55) 相关工艺配方，以满足工艺结构要求；
3. CAP EH patterning(SAQP) 工艺优化从而改善工艺窗口；
4. 设计和管理DOE实验，分析，提取，报告和总结，以优化关键流程并确定后续行动。
任职要求:
1. 硕士及以上学历，物理、化学、材料、微电子或其他相关理工科领域；
2. 3年以上半导体制造Dry ETCH工艺相关经验 掌握各Dry ETCH工艺特点，熟悉及深入了解蚀刻相关半导体制程与设备相关知识，具有跨部门多方面知识为佳；
3. 良好的沟通协调技巧，较佳的表达力和执行力；
4. 具有处理复杂问题能力及有效运用资源提出解决方案。