岗位职责:

1. 进行基于DRAM制程的HKMG工艺平台整合研发工作。与Design和Device Team根据高性能DRAM的产品需求，提炼出对器件的关键尺寸要求，电性要求和可靠性要求；领导Device以及Module等研发部门通过技术创新，新机台引进，开发出适用于DRAM工艺平台high thermal budget特点的器件。

2. 开发HKMG 工艺的PDK (Design Rule, EDR, Device Model…) 应用到N ,N+1, N+2 代DRAM 平台，同时整合优化制程与前后道工艺实现兼容，最终实现高速低漏电的电学性能，高可靠性的终端产品要求。

3. 新产品导入以及良率提升。 从与design合作开始参与新产品设计评估；与tape out team 合作设计testkey， tape out光罩；与制程和生产部门合作pilot run；不断进行工艺整合的优化升级，提升电学性能，可靠性能以及良率

任职要求:

1.硕士及以上学历,微电子、集成电路、化学、物理、材料等相关专业。

2.有扎实的半导体器件物理基础知识。

3.至少3年以上PI、 PE、YE相关经验。

4.理解复杂的问题，推导、解释为解决这些问题而采取的行动，并推动团队执行。

5.熟悉Excel数据处理，对C++程序有基本了解。