岗位内容：

3、研究碳化硅芯片/器件在上下游产业链中的应用，分析客户需求与行业动态，推动产品与市场需求的精准匹配；

4、主导碳化硅外延工艺研发，负责外延设备的日常维护、Recipe参数设定与优化，确保工艺稳定性和设备高效运行；

5、通过工艺优化与流程改进，持续提升产品良率及成品率，降低生产成本；

6、研究并引入外延工艺新技术，主导新产品试制及新工艺的量产导入；

7、负责碳化硅外延生产计划的制定与执行，优化生产时序安排，解决工艺异常问题；
8、跟踪外延片性能数据，进行分析与改善，形成标准化报告。

岗位要求：

研发工程师

1、硕士及以上学历，专业要求材料、机械、物理、微电子、化工或其他半导体相关专业；有2年以上工作经验，学历可放宽至本科学历；
2、具有1年以上的半导体材料加工、晶圆室温键合或临时键合工艺相关经验；
3、熟悉离子注入(Ion Implantation)或晶圆剥离(Wafer Exfoliation)技术；
4、有碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料制备或键合经验者优先；
5、有离子注入工艺模拟软件（如SRIM、 Sentaurus）使用经验优先；

6、熟悉中试线或量产线工艺流程者优先。

研发工程师（外延）

1、硕士及以上学历，专业要求材料、机械、物理、微电子、化工或其他半导体相关专业；有2年以上工作经验，学历可放宽至本科学历；
2、具有1年以上的碳化硅半导体相关产品设计、研发等一线经验（研究生课题方向或工作经历均可）；
3、具有扎实的碳化硅功率器件、半导体器件设计与制作相关的理论基础；
4、能够独立完成碳化硅功率器件的设计和调试者优先。

研发工程师（磨抛）

1、本科及以上学历，专业要求材料、机械、物理、微电子、化工或其他半导体相关专业；
2、具有1年以上的硬脆材料的研磨抛光（MP、CMP和减薄）工作经验；
3、有半导体薄膜沉积（PVD/CVD）或反应离子刻蚀(RIE)经验优先。

研发工程师（检测）

1、本科及以上学历，专业要求材料、机械、物理、微电子、化工或其他半导体相关专业；
2、具有1年以上的化合物半导体晶片的检测工作经验；
3、有使用二次离子质谱（SIMS）分析薄膜层的掺杂浓度与均匀性或使用X射线衍射（XRD）评估剥离后的晶圆表面质量与缺陷的经验优先。

研发工程师（清洗）

1、大专及以上学历，专业要求材料、机械、物理、微电子、化工或其他半导体相关专业；
2、具有1年以上的化合物半导体晶片的清洗工作经验；
3、有碳化硅衬底或外延片的清洗工作经验优先。