岗位职责：
1. 负责12寸区熔法（FZ）单晶硅棒的工艺开发与优化，包括晶体生长控制、热场设计、掺杂均匀性调整，确保单晶电阻率、氧含量等关键参数达标（如电阻率>1000Ω·cm，氧含量<1ppma）。
2. 主导区熔硅片的缺陷控制（如位错、微缺陷、COP等），优化晶格完整性，提升硅片机械强度及电学性能。
3. 制定滚磨、切片、研磨、抛光等后道加工工艺，确保硅片TTV<5μm、表面粗糙度Ra≤0.2nm，满足高端功率器件/传感器需求。
4. 设计腐蚀清洗工艺（HF/HNO3体系、RCA清洗），控制金属污染（如Fe、Cu<1E10 atoms/cm²）及颗粒（≤0.1μm）。
5. 分析生产异常（如晶体开裂、电阻率漂移），协同设备团队优化区熔炉、单晶生长控制系统，提升良率至>95%。
任职要求：
1、材料科学/半导体物理/微电子工程硕士及以上学历，5年+区熔（FZ）单晶硅工艺经验，熟悉12寸大直径硅片制备。
2、 精通**FZ单晶生长热场模拟（如CGSim、FEMAG软件），掌握掺杂（磷/硼）均匀性控制技术。
3、熟悉硅片缺陷表征手段（XRT、FTIR、LBIC等），能针对性优化工艺抑制缺陷。
4、了解功率半导体**（IGBT、MOSFET）对硅片的特殊要求（如高阻、低氧）。
5、熟悉SEMI PV22、ASTM F121等行业标准，具备SPC/FMEA分析能力。
6、熟练使用SEM、AFM、四探针测试仪等检测设备。
7、英语CET-6以上，能解读英文技术文献及客户规范。