岗位职责:
1、负责GaN、GaAs射频微波器件研发，根据市场及客户需求，开展外延结构设计、器件结构设计、关键工艺开发等工作；
2、开展器件电热仿真、电学分析、可靠性机理研究；
3、协助产线开展产品不良分析及解决、良率的提升；
4、负责射频微波器件技术调研，开展器件新技术、新标准、新工具和新方法等研究工作；
5、友商竞品及专利分析，撰写相关技术报告、论文、专利等材料；
6、横向及纵向研发项目申请和验收工作，作为研发项目负责人或者项目组成员完成指定的工作；
完成领导交待的其他工作。
任职要求:
1、教育背景：博士，半导体物理、微电子学、材料物理、电子科学与技术、微波、通信等相关专业；
2、深刻理解半导体器件物理基础知识，熟悉半导体工艺原理、工艺流程以及相关工艺模块；
3、了解HEMT、HBT等器件工作原理，以及相关可靠性机理；
4、熟悉射频微波器件的测试评估，包含DC测试、小信号、大信号测试和分析；
5、对芯片可靠性设计、晶圆工艺、封装、测试有深入理解，有芯片逆向工作分析经验者更佳；
6、良好的沟通能力和优秀的团队协作精神，诚实、好学、有责任心。