【岗位职责】

1、负责宽禁带功率器件MOSFET的结构设计与仿真；

2、负责功率半导体器件/新材料相关技术的调研及研究；

3、负责设计平台的搭建及新技术专利的撰写。

任职要求:

1、负责宽禁带功率器件MOSFET的结构设计与仿真；

2、负责功率半导体器件/新材料相关技术的调研及研究；

3、负责设计平台的搭建及新技术专利的撰写。

【岗位亮点】
1.博士后平台支持:公司设立博士后科研工作站，提供国家级科研平台与进
站机会;
2.前沿技术合作:长期与国内外顶尖高校及行业专家开展技术合作与交流;
3.系统化研发机制:成熟的技术预研体系、高效产品转化流程与跨职能项目
协作机制;
4.双通道晋升:技术与管理双向发展路径，支持个人成长与职业突破。
【福利待遇】
1.人才补贴:符合进站条件的博士后可申报生活与住房补贴60-100万元;
2.全面薪酬:月薪+年终奖+季度奖+项目奖金+专利奖，提供极具竞
争力的整体收入;
3.完善福利:五险一金、过渡住房、双休工作制、补充商业保险、年度体检
节日福利、旅游团建、婚育贺礼等;
4.落户支持:协助办理广州市落户，符合政策的博士员工均可申请;
5.科研资源:支持申报国家自然科学基金等科研项目，提供实验资源与学术
交流机会:
6.发展机制:“双通道”晋升体系，助力技术专家或管理方向长期发展。