1.负责跟踪行业材料发展及工艺（MPCVD）水平，根据客户需求进行设备工艺开发、工艺实现及优化提升。

2.熟悉金刚石化学气相沉积（CVD）工艺，包括气体配比（CH₄/H₂/O₂等）、温度控制（800~1200°C）、压力调节等参数优化。

3.了解金刚石成核、生长机制，单晶/多晶金刚石外延的工艺差异。

4.掌握金刚石薄膜缺陷（晶界、位错、杂质）的抑制方法，如基板预处理、缓冲层技术等。

5.熟悉原位监测技术（如激光干涉仪、光谱分析）实时调控生长过程。
6.负责开展半导体材料生长原理与技术研究，通过仿真分析及工艺改进指导设备结构开发及性能提升，负责专业领域的工艺文件编制。
7.参与支撑相关专业领域的项目申请、实施及验收工作，支撑横向市场开拓。
8.支撑国家第三代半导体技术创新中心（湖南）相关技术工作的开展。
9.完成领导交办的其他工作。