【岗位职责】
1. 从事IGBT/FRD/ SJ/SGT等功率器件研发，包含仿真与设计，版图绘制，工艺设计与定制工作;
2. 协助器件结构设计、工艺条件选定、可靠性验证、失效分析等；
3. 协助从样品开发到量产全流程推进工作。
【任职要求】
1. 硕士及以上学历，集成电路、微电子、半导体物理等相关专业；
2. 3～5年或以上功率器件设计经验，具备功率器件(IGBT/FRD/SJ/SGT)等其中一种或多种产品研发经验，（可以考虑优秀应届博士）；
3. 熟悉半导体工艺和器件相关知识；
4. 具备Sentaurus TCAD/版图/测试等能力，有Spice模型能力尤佳。