1.协同内部的设计团队和外部代工厂共同发展硅光芯片；
2.参与工艺技术研发，减少工艺缺陷，改进工艺条件，提升工艺稳定性，提高良率；
3.根据测试反馈，进行后续失效分析，提出解决方案；
4.协同代工厂进行工艺开发方案的实施，并定期review进度，直至问题close；
5.NTO产品前期工艺评估与风险规避；
任职要求：
1.2年硅光相关TD/PIE/PE/Device工作经验，光通信/数据中心芯片方向优先；
2.关键技术方向覆盖要求（至少2个领域）：调制器工艺 | 探测器(PD)工艺 | 铌酸锂异质集成 | 3D硅光集成 | GE-epi工艺 | 低损耗波导；
3.微电子/光电/材料/物理硕士及以上，熟悉硅光器件物理特性；
4.较好的逻辑思维和沟通能力；
5.熟悉FMEA分析方法，熟悉control plan/DOE 思路；
6.fab 研发/整合/模组相关经验，模组经验bonding和GE-EPI相关经验更佳；
7.硅光工艺相关经验，硅光工艺整合/硅光器件/硅光三维集成等。