岗位：功率半导体工艺工程师

工作地点： 西安

待遇： 16k~20k

岗位职责：

1. 工艺开发与优化：

• 负责 IGBT、SJ-MOS、BCD 等硅基功率半导体器件的前道（Front-End）制造工艺开发与持续优化。

• 参与新产品的工艺流程开发，制定工艺参数，确保量产阶段良率达标。

2. 技术支持与问题分析：

• 对工艺异常、产品失效进行深入分析，优化关键工艺参数，提高产品一致性与稳定性。

• 协同设计团队进行新产品开发，对版图设计、器件结构进行工艺可制造性（DFM）评估。

3. 工艺转移与量产导入：

• 负责将工艺从实验室阶段逐步转移至量产，推进工艺标准化和量产导入工作。

• 与代工厂（Foundry）对接，确保工艺流程符合产品需求，并进行相关数据分析与改进。

4. 工艺流程管理与文档维护：

• 负责工艺流程优化及规范化管理，维护和更新相关工艺文件、SOP 等技术文档。

• 为生产线提供技术支持，提升量产良率和工艺稳定性。

任职要求：

1. 学历与专业：

• 微电子、材料、半导体物理、电子工程等相关专业，硕士及以上学历（优秀的本科生可考虑）。

2. 工作经验：

• 3年以上硅基功率半导体工艺开发或制造相关经验，熟悉 IGBT、BCD、SJ-MOS 等工艺流程及关键参数。

• 有晶圆厂（Foundry）或IDM公司前道工艺、工艺整合、工艺工程师工作经验者优先。

3. 专业能力：

• 熟悉功率器件的光刻、离子注入、氧化、刻蚀、CMP、薄膜沉积等关键工艺步骤。

• 具备工艺异常分析、数据分析、良率提升经验，掌握SPC（统计过程控制）等质量管理工具。

4. 综合素质：

• 具备较强的逻辑思维能力、问题分析与解决能力，沟通协调能力佳。

• 具有高度责任心，能够承受工作压力，并具备良好的团队合作精神。

优先条件：

• 具备1200V以上高压IGBT或SiC MOSFET工艺经验者优先。

• 有参与工艺平台搭建、代工厂技术支持经验者优先。