工作地点：上海
1. 岗位职责（Responsibilities）
1.1 配合IGBT设计人员完成流片，建立工艺制造流程；
1.2 完成工艺认证各阶段的文件及数据准备；
1.3 及时处理暂停的批次；
1.4 分析参数失效的原因；
1.5 优化工艺及控制；
1.6 设计工艺实验，追踪工程批的进展及验证；
1.7 持续改进工艺PCM参数的CpK；
1.8 量产产品CP 良率提升，和FAB 相关低良率分析。
2 任职资格（Qualifications）
2.1 教育背景（Education）
微电子专业硕士学历及以上，有FAB TD 或 PIE相关的工作经验可适当放宽。
2.2 工作经验（Work experience）
2.2.1有FAB TD 或PIE 、IGBT相关工作经验两年及以上；
2.2.2有TRENCH MOS 和8inch相关工作经验者优先考虑 。
2.3 知识和技能（Knowledge and Skills）
2.3.1 熟悉晶体管原理，半导体物理，半导体器件，能运用专业知识分析并解决相关工艺问题；
2.3.2 掌握DOE方法，熟练运用数据统计，工艺模拟等技能支持合理的实验设计；
2.3.3 熟悉DMOS, Superjunction，IGBT，FRD 等一种或多种工艺流程；
2.3.4 掌握8D方法来处理问题；
2.3.5 掌握PCM参数的测试方法及监控的原理；
2.3.6 熟悉APQP、FMEA、SPC基础应用，知晓PPAP, MSA 等质量应用工具；
2.3.7 英语水平良好，能和海外客户沟通交流。
2.4 其他（Others）
2.4.1 具备良好的团队合作精神，能吃苦耐劳、适应一定强度的工作压力；
2.4.2. 诚实守信、善于思考，性格积极主动、有创新精神。