【岗位职责】

1. 负责基于氮化铝（AlN）材料的PMUT器件核心工艺流程的开发与优化，包括薄膜沉积（如PVD/PLD/MOCVD）、刻蚀、封装等关键环节；

2. 与产品设计团队紧密协作，推进设计-工艺联动，确保器件结构设计与制造流程的高度匹配；

3. 搭建并持续优化MEMS制造流程，提升工艺良率、稳定性与一致性，支持产品向量产过渡；

4. 对AlN压电层的应力、结晶性、厚度均匀性、电极接触质量等参数进行过程控制与分析；

5. 制定并实施工艺实验方案，完成工艺窗口探索、关键参数建模、DOE实验设计等工作；

6. 协助建立产线标准化工艺规程，输出技术文档；

7. 解决工艺异常问题，持续推进质量提升与良率改善。

【任职要求】

1. 材料科学、微电子、物理、机械电子等相关专业本科及以上学历，具备MEMS器件制造经验，有PMUT相关经验优先；

2. 熟悉AlN材料的薄膜沉积特性及常用制程设备（如磁控溅射、PLD、ICP-RIE、干湿法刻蚀等）；

3. 具备MEMS器件制程集成思维，能独立搭建并调试核心工艺流程；

4. 熟悉超净间环境下的工艺开发流程，了解晶圆加工、封装、测试工艺链；

5. 熟练使用制程相关分析工具（如XRD、SEM、AFM、XPS等）进行材料与工艺评估；

6. 具备扎实的文档撰写能力，能输出工艺方案、优化报告及量产工艺规范；

7. 具备良好的跨部门沟通能力和团队协作精神，有推动工艺落地与技术转移经验者优先。