岗位职责:
1.根据公司产品规划和业务发展需求，负责SiC Mos和SBD设计，包括芯片结构、电学参数和可靠性设计；
2.负责SiC Mos和SBD芯片开发项目的立项，项目推进和结项；
3.负责与PIE、Fab沟通产品流片需求，与测试和可靠性工程师沟通测试需求；
4.支持产品售前推广，售后失效分析。
任职要求:
1.学历专业：硕士及以上学历，电子、通信、微电子、物理等专业背景；
2.工作经验：硕士2年以上，本科4年以上相关经验，有沟槽型功率器件设计经验优先；
3.知识技能：掌握功率器件IGBT、MOS、Diode等器件结构原理，并有较深理解，掌握TCAD和版图相关工具；基本掌握QC七大手法使用；
4.素质：良好的沟通协调能力和书面表达能力，良好文献检索能力，较强的分析和解决问题能力；良好的英语读、写能力，CET6及以上。