岗位职责：1.负责干法刻蚀工艺的开发和优化，包括硅基、介质、金属等材料的刻蚀，确保刻蚀速率、均匀性、选择比等参数达标；
2.解决刻蚀过程中的工艺异常（如残留、侧壁形貌异常、负载效应等），提升工艺稳定性；
3.配合光刻、薄膜等前后道工艺，实现关键尺寸（CD）和形貌的高精度控制；
4.参与刻蚀设备的维护、调试与改造，制定设备维护计划并监督执行；
5.编写工艺操作规范、技术报告及设备操作SOP文件；
6.跟进先进刻蚀技术（如原子层刻蚀、高深宽比刻蚀等）的调研与导入。
任职条件：1.专科及以上学历，微电子、物理学、光学工程、材料工程、化学等相关专业；
2.具有2年以上半导体刻蚀工艺经验，熟悉ICP、RIE、DRIE等干法刻蚀设备，具备介质/金属刻蚀经验者优先；
3.掌握刻蚀化学反应机理，能通过气体配比、功率、压力等参数优化工艺结果；
4.熟练使用SEM、AFM、椭偏仪等检测设备进行刻蚀形貌与尺寸表征；
5.具备较强的逻辑分析和问题解决能力，能独立完成DOE实验设计与数据分析；
6.具备良好的沟通协调能力和团队合作精神，能适应洁净室工作环境，品行端正，工作严谨，能承担较大工作压力、有强烈的事业心和责任感。
备注：录用后入职光升科技（四川）有限公司。