职位详情
刻蚀工艺研发工程师
2.2-3.5万
北京超弦存储器研究院
北京
3-5年
硕士
10-30
工作地址

京东贝科技园(西南门)

职位描述
岗位职责:
1.负责高深宽比刻蚀工艺研究和优化；
2.与其他部门紧密合作，对现有工艺存在的问题进行攻关，来提升产品的良率和性能；
3.负责研发线的日常维护和监控；
4.协助上级进行新入职研发工程师的培训。
任职要求:
1.硕士及以上学历，物理、化学、材料、微电子等专业；
2.3年以上dry etch相关经验，有高深宽比刻蚀工艺，或SADP/SAQP/SARP相关经验优先；
3.有Fab TD经验优先。
4.该岗位需要长期在安徽合肥出差，五险一金均缴纳在北京。

以担保或任何理由索取财物，扣押证照，均涉嫌违法，请提高警惕

北京超弦存储器研究院

电子/半导体/集成电路,电子/半导体/集成电路

100-299人 | 民营

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