岗位职责：
1. 负责 a-Si:H（非晶硅）和 i-a-Si:H（本征非晶硅）薄膜沉积设备的真空系统、射频电源、气体管路维护，确保沉积温度（200-250℃）、气压（10-100Pa）及气体配比（SiH4、H2、NH3 等）精准可控。
2. 解决薄膜均匀性不足、针孔缺陷等问题，通过优化电极间距、射频功率参数提升薄膜质量，保障异质结界面钝化效果。
任职要求：
1. 具备相关工作经验，能够独立处理和解决技术难题。
2. 对非晶硅薄膜沉积技术有深入理解，能够熟练操作相关设备。
3. 良好的团队合作意识，能够在压力下保持高效工作。