岗位职责
1、负责4-6英寸磷化铟晶体生长工艺的设计和优化，持续提高晶体质量和产品良率。
2、主导解决磷化铟晶体产业化过程中的技术难题，包括但不限于位错密度控制、孪晶抑制等核心问题。
3、跟踪国内外磷化铟晶体生长技术进展，推进工艺创新与迭代，负责相关技术专利的撰写与申请。
4、与其他团队协同合作，推动磷化铟衬底产品从研发到量产的转化。
任职要求
1、 本科以上学历，材料科学、半导体物理、凝聚态物理等相关专业。
2、 有磷化铟晶体生长相关工作经验优先，精通磷化铟生长工艺。
3、 具有强烈的责任心和创新精神，良好的团队协作能力和跨部门沟通能力