岗位职责:
1. 负责硅电容(含MIM/MOS/沟槽结构)及集成无源器件(IPD)的产品研发与设计,包括器件结构开发、仿真建模、版图设计及性能验证方案制定。
2. 负责硅电容相关工艺开发与优化,对接工艺产线完成介质层、金属电极沉积及刻蚀等关键工艺的DOE实验,推进量产导入与良率提升。
3. 负责硅电容产品的性能测试与失效分析,针对高频特性(ESR/ESL、自谐振频率)、稳定性(温度/偏压影响)等核心指标开展验证,解决研发及量产过程中的技术问题。
4. 对接客户需求,提供硅电容在高频通信、高性能计算、汽车电子等场景的应用解决方案。
5. 编制产品技术文档,包括 datasheet、研发报告、工艺规范、测试标准等,推动产品标准化落地。
6. 跟踪行业技术趋势,调研硅电容等集成无源器件相关新技术、新工艺,主导产品迭代与技术创新。
任职资格:
1. 本科及以上学历,微电子科学与工程、材料科学与工程、电子信息工程等相关专业;硕士学历优先,有3年以上相关工作经验者可放宽学历要求。
2. 具备以下任一核心经验:① 硅基电容(MIM/MOS)、集成无源器件(IPD)研发设计经验;② MLCC/薄膜电容等无源器件研发经验+半导体工艺背景;③ 晶圆厂光刻、蚀刻、薄膜沉积(CVD/PVD)等工艺开发经验。
3. 掌握高频器件仿真工具和版图设计工具,具备扎实的半导体工艺、电容工作原理等知识。
4. 熟悉高频器件测试方法,能操作VNA(矢量网络分析仪)、示波器、LCR测试仪等设备,具备失效分析(FA)相关经验者优先。
5. 了解汽车电子、光通信、高性能计算等领域的无源应用需求,有相关行业产品经验者优先。
6. 具备良好的沟通协调能力、问题解决能力,能承受一定工作压力,有团队协作精神。