（一）岗位职责：
1. 刻蚀工艺开发与优化：
· 负责干法刻蚀（如SiO2、SiN、Si、金属等介质/材料的刻蚀）和/或湿法刻蚀工艺的开发、调试、优化及日常维护。
2. 生产技术问题解决：
· 快速诊断并解决生产线遇到的刻蚀相关异常和难题（如刻蚀残留、侧壁形貌差、过度刻蚀、选择比不足、颗粒污染等）。
· 协同设备工程师处理机台故障，优化设备状态以提升工艺性能。
3. 新产品与工艺开发：
· 支持研发部门进行新产品的刻蚀工艺开发与验证，负责从研发到量产的工艺转移。
4. 机台与供应商管理：
· 具备主流刻蚀设备（如LAM、AMAT、TEL等）的操作和维护经验，能协同设备工程师进行机台状态监控和工艺性能匹配。
· 与设备供应商技术支持紧密合作，推动设备硬软件问题的解决和工艺能力的提升。
5. 技术文档与标准化：
· 编写和更新刻蚀工艺操作指导书（SOP）、设备操作规范、工艺控制计划（Control Plan）等关键技术文档。
6. 团队协作与跨部门沟通：
· 与光刻、薄膜、扩散、集成等工艺模块工程师紧密合作，共同解决集成问题，提升整体产品良率。
· 指导并培训初级工艺工程师和技术员。
（二）任职资格要求：
1.硕士及以上学历，微电子、半导体物理、材料、化学、物理等相关工程专业。具备3-5年及以上半导体晶圆制造厂刻蚀工艺工程师经验。
2.具备丰富的干法刻蚀工艺经验，熟悉LAM、AMAT（应用材料）、TEL（东京电子） 等至少一种主流刻蚀设备平台。
3.理解刻蚀工艺原理（物理溅射与化学反应原理），熟悉刻蚀终点检测（EPD）、副聚合物管理等关键技术。
4.具备强大的数据分析能力，能熟练使用相关软件（如JMP, Minitab等）进行SPC分析和DOE实验设计。
5.具备独立解决复杂工艺问题的能力，思维清晰，有强烈的责任心和严谨的工作态度。良好的团队沟通和协作能力。
6.有化合物半导体（如GaAs, InP, GaN）、SiC或MEMS刻蚀工艺经验者优先。
有金属刻蚀、高深宽比刻蚀、原子层刻蚀（ALE）等特殊刻蚀工艺经验者优先。