岗位职责：
1.主导红外探测器材料（如锑化镓、磷化铟、锑化铟、硅等）的研磨、抛光工艺研发，设计并优化工艺参数，提升产品性能和良率；
2.深度掌握产线全流程工艺（如光刻、镀膜、刻蚀、划片、倒装互联、测试等），结合上下游工艺协同解决技术难点（如应力匹配、表面污染控制等）；
3.制定标准化作业流程，指导助理工程师完成日常工艺操作，在其遇到技术瓶颈时主动介入分析根本原因并提出解决方案；
4.负责维护、保养研磨抛光设备（如研磨机、CMP设备等），
5.编写研发文档（如工艺标准、技术白皮书、专利申报材料、实验报告及技术文档等），确保技术成果的可追溯性和可复制性；
6.研发新技术与新工艺（如超精密抛光、无损检测等），主导DOE实验设计及数据验证，推动技术成果转化；
7.跟踪国际前沿技术动态，阅读并解读英文文献、专利及行业报告，提炼创新方向；
8.协同测试、质量、厂务等部门，推动工艺标准化及跨部门技术协作。
招聘要求：
一、学历与专业：
1.硕士研究生及以上学历，材料科学、微电子、半导体物理、光学工程、机械制造等相关专业（应届生可投，需具备半导体材料或工艺研究背景）；
2.本科学历需具备2-3年以上半导体/光学元件研磨抛光领域工作经验，熟悉CMP工艺或超精密加工技术者优先。
二、专业技能：
1.精通半导体材料特性及研磨抛光核心工艺（如CMP、超精密加工），掌握关键设备（如研磨机、抛光机、测厚仪）操作与调试；
2.了解红外探测器工作原理及光学元件表面粗糙度、面型精度等关键指标，熟悉红外探测器全工艺流程，能系统性分析工艺间交互影响（如研磨精度对镀膜均匀性的影响）；
3.熟练使用SEM、AFM、白光干涉仪等检测设备进行表面质量分析。
4.具备英文文献阅读能力（CET-4或同等水平），能快速理解技术资料并应用于研发实践。
三、经验要求：
1.有半导体晶圆、红外材料加工经验者优先；
2.参与过工艺改进项目或具备DOE实验设计能力者优先。
四、软性素质：
研发导向：目标清晰，具备技术前瞻性，能独立制定研发计划并推动落地；
严谨心细：对工艺细节敏感，严格遵循研发规范，确保数据真实性和可重复性。
岗位待遇：
1、入职即缴纳社保及公积金；
2、双休，节假日按照法定休息；
3、入职满1年可享7天带薪年假/年；
4、节假日福利礼包；
5、科研型企业，氛围良好。