岗位职责：

1.统筹研究院GaN方向器件工艺开发及整合工作；

2.统筹各个工艺段（镀膜、光刻、刻蚀等）工艺开发；

3.负责GaN器件研发人员团队搭建、管理以及日常考核工作。

任职要求：

1.研究生学历，硕士及以上学位，有8年以上GaN器件及工艺开发经验；

2.微电子、微机电、仪器仪表技术、物理学等教育专业背景；

3.有研发转量产和量产工艺管理经验的优先考虑；

4.薪资面议。