岗位职责
1. 负责干法刻蚀（RIE、ICP-RIE、IBE等）设备的日常维护、工艺调试及优化，确保设备稳定运行。
2. 制定并优化干法刻蚀工艺方案，提高刻蚀速率、均匀性、选择比等关键指标。
3. 分析刻蚀过程中的问题（如侧壁形貌、残留物、负载效应等），并提出解决方案。
4. 配合研发团队进行新材料、新结构的刻蚀工艺开发，满足产品需求。
5. 编写工艺文件、操作规范，并对相关人员进行培训。
6. 跟踪行业先进技术，推动干法刻蚀工艺的持续改进和创新。

任职要求
1. 学历要求：本科及以上学历，微电子、材料科学、物理、化学工程等相关专业。
2. 工作经验：
3年以上干法刻蚀工艺开发或设备维护经验，熟悉RIE、ICP-RIE、IBE等干法刻蚀设备。
熟悉Si、SiO₂、Si₃N₄、金属（Al、Cu、Au、Ti、Cr、W等）、化合物半导体（GaAs、GaN等）及TSV通孔刻蚀工艺。
3. 技能要求：
熟悉干法刻蚀原理及工艺参数（气体流量、功率、压力、偏置电压等）对刻蚀效果的影响。
能够独立进行DOE（实验设计）和数据分析，优化刻蚀工艺。
具备故障排查能力，能解决刻蚀过程中的异常问题（如微负载效应、刻蚀残留等）。
能分析刻蚀后的表面形貌和关键尺寸。
4. 优先考虑：
有半导体制造、MEMS、LED、功率器件等领域干法刻蚀经验者优先。
5. 个人素质：
良好的团队协作能力和沟通能力，能适应跨部门合作。
责任心强，具备较强的分析和解决问题的能力。