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晶圆研发：
1.负责根据 MOSFET 器件的设计目标（如阈值电压、导通电阻、开关速度等），与代工厂合作制定或优化工艺方案（如选择工艺节点、调整掺杂浓度、栅极材料等）。确保器件设计与代工厂工艺能力（如光刻精度、蚀刻均匀性）匹配，解决工艺兼容性问题；
2.负责分析Wafer制造过程中的异常（如参数漂移、良率损失、可靠性失效），定位工艺步骤中的根源（如光刻偏移、刻蚀残留、热预算偏差等）。提出改进方案（如调整退火温度、优化离子注入剂量），并通过 DOE（实验设计）验证效果；
3.负责与设计团队协作，平衡性能、功耗和可靠性（如优化栅氧厚度、源漏工程）；
4.负责制定量产工艺的验收标准（如参数分布范围、失效阈值）；
5.负责建立并维护各fab及各平台的工艺数据库。
部门建设：

1.新员工培训、培养，员工新技能的开发及培养，培养资料整理优化；
2.部门流程制度的建设、完善、优化以及监督实施；
3.部门输出文件的标准化，统一性持续改善。
其他方面：

1.参与设计研发数据库的建立；
2.对研发项目过程中的创新点，撰写专利，进行保护。

一、年龄：25岁以上；
二、教育水平：本科及以上学历，硕士优先；
三、专业要求：电子、微电子相关专业；
四、知识要求：
1.了解APQP文件的相关内容；
2.了解晶圆设计及流片的工作标准与规范；
3.熟练掌握半导体器件知识以及半导体工艺知识；
4.了解晶圆的设计、版图绘制、掩膜版制造等晶圆相关开发流程。
五、技能要求：
1.熟悉半导体物理与器件知识，深入理解 MOSFET 工作原理（如载流子输运、短沟道效应、栅极堆叠结构）；
2.精通制造工艺，熟悉 CMOS 工艺流程（如光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入）及其对器件性能的影响；
3.具备数据分析能力，熟练使用统计工具（如 JMP、Python/Pandas）分析电性测试数据（如 Id-Vg、Id-Vd 曲线）、良率数据；
4.具备跨部门协作能力，能够与设计团队、代工厂工艺工程师等高效沟通；
5.具备问题解决思维，快速定位复杂问题的根源（如区分设计缺陷与工艺波动）；
6.熟悉代工厂工艺设计套件（PDK）和设计规则（DRC/LVS）；
7.了解先进工艺趋势（如 FinFET、GAA FET）对 MOSFET 设计的影响；
8.掌握半导体行业标准（如 ISO 9001、IATF 16949）和供应链管理逻辑。
六、工作经验: 3年以上半导体晶圆研发相关工作经验；
七、健康要求: 身体健康，无不良嗜好；
八、其他要求: 有一定的洞察能力，较强的逻辑分析能力。具有良好的沟通能力和团队协作精神，独立工作能力强。性格开朗，有积极认真负责的态度，有较强的团队合作精神。