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晶圆研发：
1.负责根据 MOSFET 器件的设计目标（如阈值电压、导通电阻、开关速度等），与代工厂合作制定或优化工艺方案（如选择工艺节点、调整掺杂浓度、栅极材料等）。确保器件设计与代工厂工艺能力（如光刻精度、蚀刻均匀性）匹配，解决工艺兼容性问题；
2.负责分析Wafer制造过程中的异常（如参数漂移、良率损失、可靠性失效），定位工艺步骤中的根源（如光刻偏移、刻蚀残留、热预算偏差等）。提出改进方案（如调整退火温度、优化离子注入剂量），并通过 DOE（实验设计）验证效果；
3.负责与设计团队协作，平衡性能、功耗和可靠性（如优化栅氧厚度、源漏工程）；
4.负责制定量产工艺的验收标准（如参数分布范围、失效阈值）；
5.负责建立并维护各fab及各平台的工艺数据库。
部门建设：

1.新员工培训、培养，员工新技能的开发及培养，培养资料整理优化；
2.部门流程制度的建设、完善、优化以及监督实施；
3.部门输出文件的标准化，统一性持续改善。
其他方面：

1.参与设计研发数据库的建立；
2.对研发项目过程中的创新点，撰写专利，进行保护。

5年以上半导体Fab PIE经验，专注于功率器件（如MOSFET, IGBT）制造者优先。
深入掌握光罩技术： 深刻理解光罩设计规则、材料选择、制造工艺及质量控制标准，并精通其对功率器件关键电性参数（Vth, Ron, BVdss, Qg, 可靠性）和良率的影响机制。
精通光刻关键步骤： 熟练掌握光刻工艺（特别是与光罩应用相关的部分，如成像、OPC效应）及刻蚀工艺（干法/湿法），理解其对器件结构形成和电学特性的决定性作用。
强大的分析与解决问题能力： 具备独立分析和解决由光罩、光刻或刻蚀引起的制程异常和器件性能/良率问题的能力，能运用系统性方法（如8D, DOE）进行根本原因分析和制定有效CAPA。
良好的沟通协作能力： 能够有效与光刻模块、刻蚀模块、整合工程师、器件设计团队及外部光罩供应商进行沟通协作。