1.工艺开发与整合：
负责或参与LTPS Array新工艺、新技术的开发、导入与优化，致力于提升产品性能、良率及效率。
负责特定或多个关键制程模块（如薄膜沉积、黄光、刻蚀、离子注入、激光退火）的工艺与整合，确保全线工艺稳定。
2.新品导入与支持：
支持新产品的Array段导入工作，完成从设计）到实际产品输出的工艺匹配与验证。
制定新产品的Array段试产计划，并负责流程跟进与数据总结，确保新产品顺利量产移交。
3.良率提升与问题解决：
主导Array段各类不良（如Mura、短路、断路、颗粒污染、电性参数漂移等）的分析与改善，运用FMEA、DOE等工具进行根本原因分析，实施有效的纠正与预防措施。
持续监控在线工艺参数及CP/TFT电性测试数据，建立数据模型，主动识别变异并推动良率提升。
4.技术文件与标准建立：
建立、编写和维护Array段各类工艺操作规程、标准文件及质量控制计划。
负责新设备、新材料的评估与导入，并制定相应的工艺规格和验收标准。
5.跨部门协作：
与研发团队紧密合作，将新技术从实验阶段转化为可量产的生产工艺。
与设备、质量及Cell/Module段工程师协同工作，解决涉及Array根源的综合性技术问题。

人员要求：

1.学历与专业：
本科及以上学历，微电子学、半导体物理、电子科学与技术、材料科学与工程、光电等相关专业。
2.工作经验：
具备5年以上TFT-LCD/OLED行业Array工艺相关经验，有LTPS（低温多晶硅）或Oxide（氧化物半导体）技术经验者优先。熟悉Array全制程或精通某一特定核心制程模块者尤佳。
3.专业知识与技能：
核心知识： 深刻理解半导体物理、晶体管原理（MOSFET） 及TFT器件结构与特性。
工艺精通： 精通LTPS Array以下至少两到三项关键制程：
薄膜沉积： PECVD、Sputter。黄光微影： 涂布、曝光、显影。刻蚀技术： 干法刻蚀、湿法刻蚀。
离子注入 与 激光退火 工艺。
4.分析能力： 能够解读TFT的CP测试数据，并能与阵列工艺进行关联分析。
工具使用： 熟悉SEM、EDX等，具备基本的数据分析能力。
5.能力与素质：
具备强烈的责任心、严谨的科学态度和出色的逻辑分析能力。
能够适应洁净室工作环境，具备良好的团队合作精神和沟通能力。
具备良好的英语阅读能力，能够阅读英文技术资料。