岗位职责：
1.高深宽比通孔技术开发：
1)主导40nm及以下节点的高深宽比的Contact/Via/Hole工艺整合研发；
2)优化光刻-刻蚀-填充-平坦化全流程工艺，解决关键缺陷（孔洞、缝隙、过度侵蚀等）。
2.工艺窗口提升：
1)设计DOE实验，协同OPC、光刻、刻蚀、薄膜、CMP团队，提升高深宽比通孔的均匀性、良率及可靠性。
3.跨部门技术整合：
1)与器件研发团队合作，优化Contact/Via/Hole结构，从而满足器件性能指标；
2)协同设计部门制定Design Rules。
4.量产转移支持：主导新工艺从研发线向量产线的转移，建立管控标准（SPC）和故障分析流程。
任职要求：
1.学历：硕士及以上学历，微电子、光学工程、物理、材料等相关专业。
2.工作经验：
1)5年以上半导体工艺整合/研发经验，必须具备12英寸晶圆厂40nm及以下节点实战经验；
2)至少主导过Contact/Via/Hole模块中任一环节的工艺开发（OPC、光刻、刻蚀、ALD填充、CMP）；
3)熟练使用检测分析工具：SEM/TEM剖面分析、EDX成分检测、缺陷扫（KLA）等；
4)有OPC/DUV immersion工艺经验者优先考虑。
3.具备能力：
1)具备DOE设计及数据分析能力（JMP/JMP Pro优先）；
2)出色的跨部门协作与风险预判能力，能主导技术难题攻关。