岗位职责:
1、负责新型薄膜材料及工艺的研发，优化薄膜沉积（如CVD、PVD、ALD等）工艺参数，提升器件性能及良率；设计并执行DOE实验，分析工艺窗口，推动薄膜工艺的持续改进；
2、对薄膜材料特性（如厚度、应力、均匀性）、缺陷数据及电性测试结果进行深度分析，识别关键影响因素；主导薄膜相关异常问题的根因分析，制定解决方案并验证；
3、与器件设计、整合、制造等部门紧密合作，确保薄膜工艺满足产品性能需求；支持新工艺从研发到量产的转移，协助解决量产过程中的工艺问题；
4、跟踪薄膜技术领域前沿进展，评估新工艺、新材料的可行性；
5、熟悉薄膜设备硬件架构，参与设备选型及调试，提升工艺稳定性；
任职要求:
1、物理、光学、电子工程、化学工程、材料科学、数学等相关专业硕士及以上学历，6年以上工作经验；
2、熟悉DRAM/CMOS相关的电性及可靠性特性；
3、具有低电阻（Low Rs）金属材料研究及工艺开发经验；具备先进CMOS工艺开发经验（如HKMG高介电金属栅极技术）者优先；
4、良好的沟通与团队协作能力；擅长解决复杂问题，有领导跨职能专项任务组的经验；