岗位职责：
1、高深宽比通孔技术开发： 1)主导40nm及以下节点的高深宽比的Contact/Via/Hole工艺整合研发； 2)优化光刻-刻蚀-填充-平坦化全流程工艺，解决关键缺陷(孔洞，缝隙，过度侵蚀等).
2、工艺窗口提升： 1)设计DOE实验，协同OPC，光刻，刻蚀，薄膜，CMP团队，提升高深宽比通孔的均匀性，良率及可靠性。
3、跨部门技术整合： 1)与器件研发团队合作，优化Contact/Via/Hole结构，从而满足器件性能指标； 2)协同设计部门制定Design Rules.
4、量产转移支持： 主导新工艺从研发线向量产线的转移，建立管控标准(SP C)和故障分析流程。
任职要求：
1、学历：硕士及以上学历，微电子，光学工程，物理，材料等相关专业。
2、工作经验：
1)5年以上半导体工艺整合/研发经验，必须具备12英寸晶圆厂40nm及以下节点实战经验；
2)至少主导过Contact/Via/Hole模块中任一环节的工艺开发(OPC，光刻，刻蚀，ALD填充， CMP);
3)熟练使用检测分析工具：SEM/TEM剖面分析，EDX成分检测，缺陷扫描(KLA)等；
4)有OPC/DUV immersion工艺经验者优先考虑