职位要求：

1. 微电子/电子工程/集成电路设计相关专业本科及以上学历；

2. 3年以上非易失性存储器（NOR Flash/NAND Flash/EEPROM/ReRAM/MRAM）电路设计经验、有Memory Design经验亦可；

3. 深入理解半导体器件物理和CMOS工艺，熟悉NOR Flash操作原理；

4. 具有高压电路、灵敏放大器、模拟/数字控制逻辑等周边电路的设计和仿真经验；

5. 熟练使用Cadence Virtuoso，HSPICE等EDA工具；

6. 具有良好的团队合作精神、沟通能力和解决问题的能力；

7. 有在先进工艺节点设计NOR Flash的经验优先考虑。