岗位职责：
1、主导/参与新型半导体设备的概念设计与方案制定，独立完成设备的结构设计、工艺设计工作；
2、指导设备加工及现场安装工作；解决设备设计及安装中出现的问题；
3、建立和维护产品知识库，包括标准技术文档、常见问题解答、故障处理指南、申报材料等资料；
任职资格要求：
1、学历：硕士及以上学历，博士优先。
2、专业：机械设计制造及其自动化、真空技术与设备、物理学、材料科学与工程（尤其是晶体生长、薄膜材料方向）等相关专业；
3、工作经验：成功参与过硒化锌（ZnSe）、磷化铟（InP）或其他III-V族、II-VI族化合物半导体生长设备项目的经验；有独立完成真空炉设备设计工作经验优先；有3年以上直接从事高端CVD/PVD/VGF设备研发、设计或工艺开发经验优先；
4、技能：精通高真空、超高真空系统设计，熟悉各类泵、阀门、密封、检漏技术；精通金属有机化学气相沉积（MOCVD）、氢化物气相外延（HVPE）、物理气相传输（PVT） 等技术原理；
深刻理解生长动力学、热力学、输运过程（质量、热量、动量传输）、表面反应机制