1.根据业务需求，完成DDR 控制器或PHY的IP架构与特性定义，保证系统的性能/稳定性/功耗需求。
2.负责DDR 控制器或PHY IP的数字电路开发实现，保证交付质量和进度。
3.熟练掌握DDR 控制器或PHY 性能，功耗和面积的优化方法，可以主导实现PPA在业界有竞争力的DDR控制器和PHY。
4.熟练掌握DDR控制器的性能优化和时序优化方法，对高性能调度管理，数据一致性协议，数据稳定性（RAS），复杂协议处理有丰富经验。
5.熟练掌握数模混合设计，熟悉DDR PHY的完整training流程以及掌握如何提高DDR PHY工作稳定性的方法，并对如果处理DDR PHY适应复杂PVT变化有丰富经验。
6.对验证有充分理解，同验证紧密合作，保证交付质量和精度。
7.与客户沟通，理解需求，提供专业的技术支持和解决方案。
8.深入参与项目的各个阶段，包括概念验证、原型设计、验证测试和量产推动。
9.有丰富的DDR量产调试和调优经验。

任职资格：

1.博士或硕士学位，电子工程、微电子学或相关领域。
2.5年以上相关领域的工作经验，有成功的DDR内存接口芯片设计经验。
3.熟悉芯片前端设计流程，有流片经验。
4.具备DDR/HBM/LPDDR/GDDR/DIMM等相关经验优先，有自主开发DDR 控制器或者PHY经验优先。
5.熟悉AMBA各种总线协议，如AXI/CHI/CXS等优先。
6.熟悉UCIE规范或有开发经验者优先。
7.良好的沟通和团队协作能力，有领导项目经验者优先。
8.对半导体行业和技术发展保持敏感性，具备创新意识和解决问题的能力。