岗位职责：

1.提供半导体砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）器件模型开发和优化的解决方案，确保模型的准确性和可靠性；
2.提供器件测试方案，包括I-V测试、连续波（CW）和脉冲S参数测试，功率测试、噪声测试以及温度相关的特性测试等；
3.深度参与跨部门合作，提供建模支持，提升器件良率和优化模型精度，探索新型建模技术和方法；
4.撰写详细的技术文档，记录建模过程、测试结果、模型参数等关键信息；建立及优化器件建模相关标准流程。
5.完成领导安排的其他任务。

岗位要求：

1. 博士及以上学历，电子工程、半导体物理、微电子学或相关专业，具备扎实的半导体专业理论基础。

2. 有半导体砷化镓和氮化镓器件建模相关工作经验，具备独立承担项目或关键任务的能力，能够在复杂的工作环境中解决实际问题。

3.精通半导体器件物理原理，尤其是砷化镓和氮化镓器件，深入理解其工作机制、特性以及与工艺的关联性。

4.熟练掌握IC-CAP、MQA、ADS、Ansys等主流的半导体器件建模与仿真软件，能够运用这些工具进行高效的模型开发和分析。

5.具备丰富的射频器件测试经验，熟悉各类探针台的在片射频器件建模参数表征方法，以及Load-Pull等射频仪器仪表的操作和使用，能够准确获取、分析、处理测试数据。

6.精通各种工艺器件模型建模技术，丰富的模型建模经验，能从数学公式中准确分析影响模型精度的根源，实现精准的模型建模。

7.具有良好的团队合作精神，较强的英语读写能力，拥有较强的学习能力和创新思维。