半导体射频电源高级研发工程师
核心职责：
1. 射频电源系统架构设计：
负责半导体级射频电源（典型频率 13.56MHz， 27MHz， 40MHz， 60MHz 等）的整体系统架构设计，包括功率级拓扑（如 Class D, E, F, 或 LLC 等）、匹配网络设计、控制回路架构等。
深入理解并优化射频电源在复杂等离子体负载下的动态响应特性、稳定性、效率及输出精度（功率/电压/电流）。
定义关键性能指标（KPIs）如功率稳定性、频率精度、谐波失真、效率、可靠性等，并主导实现方案。
2. 核心算法研究与开发：
设计、开发并优化射频电源的核心控制算法，包括但不限于：
高级阻抗匹配算法 (自动匹配网络调谐)。
高精度、高速的功率/电压/电流闭环控制算法 (如自适应 PID、模型预测控制 MPC 等)。
等离子体状态监测与诊断算法(如 V/I 相位检测、谐波分析、稳定性监控)。
抗干扰算法及故障保护策略。
负责算法的仿真（如 MATLAB/Simulink, PLECS）
3. 技术领导与项目管理：
组建、领导和管理射频电源研发技术团队，明确技术路线，分配任务，指导团队成员工作。
主导射频电源相关研发项目的规划、执行、风险管控与交付，确保项目按时按质达成目标。
负责关键技术难题的攻关与解决。
4. 跨部门协作与产品化：
与硬件（功率器件、高频磁元件、PCB 设计）、软件（嵌入式、上位机）、工艺应用等团队紧密协作，确保系统设计与算法方案的工程可实现性及与半导体工艺需求的完美匹配。
主导或深度参与射频电源样机的设计、调试、测试验证（实验室及客户端现场）。
支持产品转产，解决量产过程中的技术问题。
5. 任职要求：
电子工程、微电子等相关专业硕士及以上学历。
硕士 5 年以上射频电源研发经验，深刻理解射频功率放大器、匹配网络原理及设计。
精通半导体制造设备（如刻蚀机、PVD、CVD、离子注入等）中射频电源的应用场景、技术挑战及性能要求。
丰富的射频电源系统架构设计经验，能独立完成从规格定义到架构选型、关键参数设计。
在射频电源核心控制算法（如阻抗匹配、高精度功率控制、稳定性控制）方面有成功的设计、实现与优化经验。熟练掌握相关仿真工具。
深入理解高频功率器件、高频磁元件（变压器、电感）、射频测量技术。
有国内外射频电源供应商（如 MKS, AE，英杰，广能达）相关工作经验者优先。
在等离子体物理或等离子体与射频功率耦合、射频电源方面有深入研究或经验者优先。