职位详情
射频芯片设计工程师
1.5-2.5万
广东先导稀材股份有限公司
合肥
3-5年
本科
08-16
工作地址

中安创谷科技园一期-A3栋中国(合肥)自由贸易试验区安徽市高新区望江西路900号中安创谷科技园A3A4栋7楼778-6、7室

职位描述
岗位职责:
1、设计砷化镓、氮化镓和磷化铟基射频功率放大器、低噪声放大器、开关等芯片
2、进行电路仿真、版图设计和后仿真验证
3、研究新的电路拓扑和设计技术,提高芯片性能
4、研究新的电路拓扑和设计技术,提高芯片性能
5、与工艺工程师合作,确保设计与工艺的兼容性
6、领导安排的其他事宜
岗位要求:
1、本科及以上学历,5年以上化合物半导体射频芯片设计经验,至少3年砷化镓射频芯片设计的实际项目经验,具有氮化镓或磷化铟射频芯片设计经验者优先
2、本科及以上学历,电子工程、微电子学或相关专业背景
3、精通射频和微波电路理论
4、深入了解砷化镓、氮化镓和磷化铟等化合物半导体的特性和工艺

熟悉功率放大器、低噪声放大器、混频器、开关等射频电路的设计

精通 ADS、Cadence 等 EDA 工具


以担保或任何理由索取财物,扣押证照,均涉嫌违法,请提高警惕

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