工作职责：
1. 项目实践： 参与公司核心的理想二极管的研发全流程，包括前期技术调研、电路设计、仿真验证及测试支持。
2. 电路设计与仿真： 负责或协助完成芯片内部关键模块的设计，如MOSFET驱动电路、比较器、基准源、保护电路（如过压、过流、过温） 等。
3. 深入学习： 深入理解功率MOSFET的特性及其在理想二极管应用中的驱动、损耗与可靠性挑战。
4. 团队协作： 与团队中资深工程师紧密合作，完成设计文档撰写、测试方案制定和实验室调试分析工作。
任职要求：
1. 教育背景：2026届应届硕士毕业生，微电子学、电子工程、集成电路设计与集成系统等相关专业，具备扎实的电路与半导体物理基础。
2. 知识技能：
关键经验： 在课程设计、科研项目或实习中，学习或实践过IC驱动功率MOSFET的相关技术（例如：DCDC转换器、电机驱动、理想二极管或其它功率开关电路）。
加分项： 对理想二极管的工作原理和应用场景有基本理解；有版图设计基础者更佳。
3. 个人素质：具备强烈的求知欲、出色的分析问题和解决问题的能力；良好的团队合作精神和沟通能力，对技术工作充满严谨与激情。