岗位职责:
1.负责GaN、GaAs射频微波器件研发，根据市场及客户需求，开展外延结构设计、器件结构设计、关键工艺开发等工作；
2.开展器件电热仿真、电学分析、可靠性机理研究；
3.协助产线开展产品不良分析及解决、良率的提升；
4.负责射频微波器件技术调研，开展器件新技术、新标准、新工具和新方法等研究工作；
5.友商竞品及专利分析，撰写相关技术报告、论文、专利等材料；
6.横向及纵向研发项目申请和验收工作，作为研发项目负责人或者项目组成员完成指定的工作；
7.完成领导交待的其他工作。
任职要求:
1.博士，半导体物理、微电子学、材料物理、电子科学与技术、微波、通信等相关专业。
2.社招：3年以上的GaN、GaAs 射频微波器件开发经验；校招：双一流高校相关专业应届毕业生。
3.专业知识：
1）深刻理解半导体器件物理基础知识，熟悉半导体工艺原理、工艺流程以及相关工艺模块；
2）了解HEMT、HBT等器件工作原理，以及相关可靠性机理；
3）熟悉射频微波器件的测试评估，包含DC测试、小信号、大信号测试和分析；
4）对芯片可靠性设计、晶圆工艺、封装、测试有深入理解，有芯片逆向工作分析经验者更佳；
5）良好的沟通能力和优秀的团队协作精神，诚实、好学、有责任心。