职位详情
功率器件设计高级工程师
2.5-3.5万·14薪
广州金升阳科技有限公司
广州
5-10年
本科
01-22
工作地址

广州黄埔区南云四路8号

职位描述
岗位职责:
【岗位职责】
1.能够独立完成SiC基MOSFET器件的开发,包括器件及工艺仿真、版图设计及工艺Flow制定;
2.具备SiC基MOSFET器件工程数据整理分析能力,器件结构及工艺设计方案优化能力;
3.协助SiC基MOSFET封装、测试方案制定评估;
任职要求:
【任职要求】
1. 本科及以上学历,半导体物理、电子材料、微电子等相关专业;
2. 具有SiC基MOSFET器件的成功开发经验,包括仿真设计及版图设计成功经验;
3.具有Sentaurus-TCAD仿真软件使用经验;
4.具有良好的沟通能力、团队协作能力,分析及解决问题的能力;
5.具有SiC基Trench MOS开发经验者优先。

以担保或任何理由索取财物,扣押证照,均涉嫌违法,请提高警惕

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