岗位职责：
1.负责SRAM等存储阵列设计，制定架构方案，完成单元电路设计、布局规划及参数优化；​
2.开发存储阵列编译脚本，搭建调试环境，定位问题；​
3.主导数模混合模块集成，保障系统兼容性；​
4.制定存储宏单元验证方案，开展功能、时序及可靠性验证，编写报告。
岗位要求：
（一）基本条件：
1. 硕士及以上学历；年龄：硕士≤35周岁，博士≤40周岁（核心技术骨干或头部芯片企业资深经验者年龄可放宽）；​
2. 工作经历：至少参与1个完整存储阵列设计项目；​
博士有存储电路顶刊/专利者优先；有SRAM或数模混合集成经验者优先。
（二）核心技能：
1.精通 SRAM 等存储单元原理，掌握存储阵列架构设计，能独立完成电路设计与仿真；​
2.熟练使用Cadence Virtuoso等设计工具，具备版图规划与寄生参数分析能力；​
3.会用Python/Tcl编写自动化脚本，熟练操作示波器、逻辑分析仪等调试设备；​
4.掌握数模接口隔离、信号完整性优化技术，熟悉运算放大器、参考源等模拟模块；​
5.能使用Spectre/HSPICE开展仿真，具备LVS/DRC/ERC后仿真经验。