职位描述 半导体刻蚀工艺开发 SiC功率器件 FAB 6寸 岗位职责： 1. 完成新产品相关干法蚀刻工艺开发以及后续量产准备工作 2. 及时解决线上的异常问题，日常维护干法蚀刻工艺条件并确保量产品顺利流片 3. 负责工艺的日常维护及改进，日常recipe的建立及维护； 4. 负责减少工艺缺陷，优化工艺条件，改善CP/CPK，提升良率； 5. 负责干法设备操作标准制定，教学及考核 岗位要求： 1. 统招大学本科或以上学历，物理、化学、材料或相关专业 2. 2年以上半导体制造厂工艺开发、维护经验 3. 熟悉晶圆制造干法工艺，包括但不限于：金属蚀刻，碳化硅，硅/深硅刻蚀，介质层蚀刻… 4. 实验设计和数据分析能力，具有异常分析、报告整理、措施实施、结果反馈的能力 5. 能适应洁净室工作环境 6. 工作态度积极主动 7. 强烈的学习意愿 8. 熟练使用MS办公软件