岗位职责：
1.提供半导体砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）器件模型开发和优化的解决方案，确保模型的准确性和可靠性；
2.提供器件测试方案，包括I-V测试、连续波（C万）和脉冲S参数测试，功率测试、噪声测试以及温度相关的特性测试等；
3.深度参与跨部门合作，提供建模支持，提升器件良率和优化模型精度，探索新型建模技术和方法；
4.撰写详细的技术文档，记录建模过程、测试结果、模型参数等关键信息；建立及优化器件建模相关标准流程。
专业要求：
电子工程、半导体物理、微电子学或半导体相关专业
薪资待遇：
30-60万/年