岗位职责
1. 前沿工艺开发：
在公司研发实验室，主导探索性ALD工艺实验，开发具有创新性的薄膜沉积方案（如新型High-k材料、金属栅、二维材料、复合薄膜等）。
深入研究ALD反应机理，优化前驱体脉冲、 purge、反应步骤等核心序列，以达成极致的薄膜均匀性、台阶覆盖率和电学性能。
挑战工艺极限，为新产品定义关键的工艺规格（Spec）。
2. 新设备平台工艺支持：
参与ALD设备样机的设计评审，从工艺角度提出硬件需求（如反应腔设计、温控、气流均匀性等）。
负责新设备平台的首次工艺调试（First Tool Setup），建立基础工艺窗口，并完成性能验证（Performance Demo）。
与硬件、软件和系统工程师紧密合作，解决新设备在集成和测试中出现的复杂工艺-硬件交互问题。
3. 技术攻关与知识沉淀：
针对工艺开发中的根本性难题（如颗粒产生机制、前驱体利用率、薄膜缺陷来源）进行专题研究，提出解决方案。
设计实验（DOE）并利用先进的表征手段（如SEM, TEM, XPS, AFM, 椭偏仪等）进行数据分析和机理阐释。
撰写内部技术报告、发明专利和对外发表的技术论文。
4. 产品化与转化支持：
为从研发到量产的工艺转化提供支持，制定详细的工艺转移文件和操作规范。
协助应用工程团队准备面向客户的先进工艺演示方案。
跟踪学术界和竞争对手的ALD技术动态，进行技术可行性分析。
任职要求
必备条件：
硕士学历，材料科学、化学工程、物理化学、微电子或相关专业。
2年以上在半导体设备商、实验室或先进设备厂/晶圆厂研发部门的ALD工艺研发经验。深刻理解热ALD(T-ALD)与等离子体ALD（PEALD）的物理化学过程。
具备扎实的薄膜材料知识，熟悉主流半导体薄膜的表征方法与数据分析。
出色的实验设计（DOE）能力和数据分析技能，能独立规划并完成复杂的研究项目。
强大的动手能力和问题解决能力，对技术充满好奇心和钻研精神。
良好的团队协作与沟通能力，能与跨职能团队有效合作。
良好的英文读写能力，能熟练查阅技术文献和撰写报告。